东芝推出采用最新一代工艺的80V N沟道功率MOSFET
快链头条 2026-06-30 12:42:06
快链头条 消息，6 月 30 日，东芝电子元件及存储装置株式会社宣布，推出采用东芝最新一代工艺 U-MOS11-H 制造的 80V N 沟道功率 MOSFET——TPM1R408RH。
该 MOSFET 面向 AI 数据中心和通信基站等工业设备的开关电源。新产品即日起开始出货。
快链头条登载此文本着传递更多信息的缘由，并不代表赞同其观点或证实其描述。
文章内容仅供参考，不构成投资建议。投资者据此操作，风险自担。
投资有风险，入市须谨慎。本资讯不作为投资理财建议。
7*24小时快讯
SemiAnalysis：看好英伟达下半年表现，Rubin放量将推动数据中心业务增长
06-30 14:21(2分钟前)
加密恐慌指数升至15，市场「极度恐慌」情绪稍缓
06-30 14:13(11分钟前)
德意志银行上调美债收益率预测
06-30 14:12(12分钟前)
美团开源首个从训练到推理都用国产芯片的万亿大模型LongCat-2.0
06-30 14:07(17分钟前)
Binance慈善将捐赠300万美元支持委内瑞拉地震受灾地区用户
06-30 14:06(18分钟前)
德意志银行上调美债收益率预测至 4.3% 和 4.8%
06-30 14:04(19分钟前)
韩股半导体热度不减，Gate SKHYNIX 合约持仓稳居行业前列
06-30 14:00(23分钟前)
渣打：下半年建议超配科技与通信服务，低配必需消费品
06-30 13:58(25分钟前)
热门资讯
风险提示
根据银保监会等五部门于 2018 年 8月发布《关于防范以「虚拟货币」「区块链」名义进行非法集资的风险提示》的文件， 请广大公众理性看待区块链，不要盲目相信天花乱坠的承诺，树立正确的货币观念和投资理念，切实提高风险意识；对发现的违法犯罪线索，可积极向有关部门举报反映。